近日，由李钊博士撰写题为“Structural, optical and electrical properties of Al–In–Sn–O (AITO) films fabricated via MOCVD technique”的文章在国际期刊《Journal of Alloys and Compounds》上发表。
随着透明电子学和紫外光电子学不断向深紫外领域的拓展，新型宽带隙半导体材料的研究成为研究领域的前沿方向之一。锡掺杂的氧化铟（ITO）薄膜的电阻率可达10-4 Ohm•cm，在可见光范围内具有很高的透过率，是当前使用最广泛的透明导电膜，主要用于平面显示和太阳能电池等领域。然而，由于其相对窄的带隙宽度，在深紫外光电器件等领域的应用受到限制。
基于以上思路，本论文通过在ITO中加入Al元素，降低其载流子浓度，同时展宽其带隙宽度，形成全新材料体系，即Al-In-Sn-O(AITO)。重点研究不同元素比例对材料结构形貌、光电学性能的影响，为该材料在透明半导体光电器件和紫外发光器件上的实际应用提供了一定的实验基础。
本论文基于太阳集团电子游戏“先进成像实验室”提供的实验平台以及在山东大学微电子学院光电技术研究所实验室的帮助下完成，得到了国家自然科学基金委的资助。
